IXBD4411SI
IXYS
Deutsch
Artikelnummer: | IXBD4411SI |
---|---|
Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannungsversorgung | 10V ~ 20V |
Supplier Device-Gehäuse | 16-SOIC |
Serie | ISOSMART™ |
Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 15ns, 15ns |
Verpackung / Gehäuse | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Anzahl der Treiber | 1 |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Logikspannung - VIL, VIH | 1V, 3.65V |
Eingabetyp | Non-Inverting |
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 1200 V |
Gate-Typ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
Angetriebene Konfiguration | High-Side |
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 2A, 2A |
Ladestrom | Single |
Grundproduktnummer | IXBD4411 |
IXBD4411SI Einzelheiten PDF [English] | IXBD4411SI PDF - EN.pdf |
IGBT MODULE 600V 80A SOT227
REVERSE CONDUCTING IGBT
IC GATE DRVR ISOPLUS I4-PAC
IXYS NA
IGBT 3600V 45A ISOPLUS I4PAK
IC GATE DRVR HALF BRIDGE 8SOIC
REVERSE CONDUCTING IGBT
IGBT 1600V 28A 250W I4PAC
IXBD4412PI BB/TI
IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
DISC IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT TO-
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16DIP
IGBT 3000V 34A 150W ISOPLUSI4
IGBT 3000V 26A 125W ISOPLUSI4
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16DIP
IGBT 3000V 29A 240W ISOPLUSI4
IGBT 3000V 37A 300W ISOPLUSI4
IC GATE DRVR HALF BRIDGE 8SOIC
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
SHARP QFP
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IXBD4411SIIXYS |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|